🟧【三星电子首次开发出基于HKMG工艺的DRAM】


#三星电子 开发出了比现有产品速度快一倍以上、耗电量少13%左右的新一代 #DRAM 存储器模块。预计该模块将安装在服务器内存上，有助于提高大容量数据中心等的电力效率。

　三星电子25日表示，开发出了使用“HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)”工艺的512GB DDR5内存模块。DDR5是新一代DRAM规格，与前一代DDR4相比，具备了一倍以上的性能。

　三星电子的DDR5 DRAM拥有7200Mbps(兆位/秒)数据传输速度。在1秒内可以传送2部30GB容量的超高清(UHD)电影。目前DRAM规格的DDR4的最高传输速度是3200Mbps，最大容量是256GB。

　三星电子开发的DDR5 DRAM采用了系统半导体制造过程中使用的 #HKMG 工艺，减少了电力消耗。由于采用了减少浪费电流的工艺，与现有的存储器相比，电力消耗减少了13%左右。三星电子相关人士解释说：“以制造系统半导体的经验为基础，在DRAM制造上也将采用HKMG工艺，可以同时体现高性能和低电力”，“因为电力消耗较少，所以将在大容量数据中心或人工智能(AI)等电力效率重要的地方使用。”

　另外，在一般使用的DRAM中，首次使用了8段硅贯通电极( #TSV )技术。TSV技术是在DRAM芯片上打孔，使芯片之间直接连接，从而大幅提高传输速度的技术。三星电子在2014年首次在DDR4内存上使用了4段TSV工艺，推出了64GB到256GB的高容量模块。

🔥✍️🔥【台积电公开第五代全新封装技术】


据《Wccftech》报道，全球半导体龙头 #台积电 （ #TSMC ）近期公开了全新“ #CoWoS ”第五代封装技术发展蓝图，为其下一代小芯片架构以及 #HBM 记忆体提出解决方案。

据悉，第五代“CoWoS”能够在 #PCB 面板上嵌入最多八片 #HBM2e 记忆体颗粒，最多可让采用 HBM2e 的专业显示卡提供高达 128GB 的视讯记忆体容量，比第三代“CoWoS”封装技术增加了近 20 倍的电晶体数量。

台积电表示第五代“CoWoS”将使用全新 #TSV 技术，能为芯片增加 3 倍仲介层面积，并使用液态金属（Metal Tim）的高效能散热介面材料进行 Lid 封装，能有效增加记忆体芯片的散热机制。

据报道，最新有望使用第五代“CoWoS”的产品将会是 #AMD（超微）的 #Aldebaran 专业显示卡系列，该产品将采用双 GPU 显示核心以及八片 HBM2e 高速视讯记忆体。